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集微网报道 近日,中微公司在接受机构调研时表示,MOCVD设备目前在照明、显示市场应用广泛。更重要的是Mini LED和Micro LED市场的拓展,相关市场的发展前景很大。MOCVD设备重要的应用还包括功率器件等。
中微公司MOCVD设备最新的产品型号 Prismo UniMax™主要针对Mini-LED 设计。性能、复杂性提高很多,提供更多的价值给用户,所以毛利率有明显增长。
市场机构预测到2026年,全球每年需求超过800台MOCVD设备。中微公司在其中三个领域有开发相关产品,公司将继续开发照明、显示领域,包括 Mini LED,Micro LED,以及功率器件等等领域的外延设备。公司预计可以覆盖大约75%的MOCVD设备市场。未来市场空间非常广阔。
2021年,中微公司营业收入31.08亿元,其中刻蚀设备收入为20.04亿元,占收入比例约为64.48%;MOCVD设备收入为5.03亿元,占收入比例约为16.18%。2022年第一季度营业收入9.49亿元,其中刻蚀设备收入为7.14 亿元,占收入比例约为75.24%;MOCVD设备收入为0.42亿元,占收入比例约为4.43%。
中微公司称,公司积极关注下游市场扩产计划并努力争取各种可能的市场机会,公司的刻蚀设备在国内主要客户端市场占有率不断提升。
在逻辑集成电路制造环节,公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户 65 纳米到 5 纳米等
先进的芯片生产线上;同时,公司根据先进集成电路厂商的需求,已开发出小于 5 纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求,开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺,能够涵盖 5 纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。
在 3D NAND 芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于 64 层和 128 层的量产,同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖 128 层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。
另外,中微公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产,根据客户的技术发展需求,正在进行下一代产品的技术研发,以满足 5 纳米以下的逻辑芯片、1X 纳米的DRAM 芯片和 128 层以上的 3D NAND 芯片等产品的 ICP 刻蚀需求,并进行高产出的 ICP 刻蚀设备的研发。
此外,在薄膜设备进展方面,中微公司称,公司目前已经组建团队在开发LPCVD设备和EPI设备,研发进展按计划进行中,同时公司将在适当时机通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖。
关于零部件国产化率,中微公司表示,目前公司产品有部分零部件需要进口,公司采取多厂商策略保障零部件及时供应。公司目前刻蚀设备的零部件国产化率大约60%,MOCVD设备的零部件国产化率大约80%。
(校对/Lee)
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中微公司公司预计可以覆盖大约75%的MOCVD设备市场
集微网报道 近日,中微公司在接受机构调研时表示,MOCVD设备目前在照明、显示市场应用广泛。更重要的是Mini LED和Micro LED市场的拓展,相关市场的发展前景很大。MOCVD设备重要的应用还包括功率器件等。
中微公司MOCVD设备最新的产品型号 Prismo UniMax™主要针对Mini-LED 设计。性能、复杂性提高很多,提供更多的价值给用户,所以毛利率有明显增长。
市场机构预测到2026年,全球每年需求超过800台MOCVD设备。中微公司在其中三个领域有开发相关产品,公司将继续开发照明、显示领域,包括 Mini LED,Micro LED,以及功率器件等等领域的外延设备。公司预计可以覆盖大约75%的MOCVD设备市场。未来市场空间非常广阔。
2021年,中微公司营业收入31.08亿元,其中刻蚀设备收入为20.04亿元,占收入比例约为64.48%;MOCVD设备收入为5.03亿元,占收入比例约为16.18%。2022年第一季度营业收入9.49亿元,其中刻蚀设备收入为7.14 亿元,占收入比例约为75.24%;MOCVD设备收入为0.42亿元,占收入比例约为4.43%。
中微公司称,公司积极关注下游市场扩产计划并努力争取各种可能的市场机会,公司的刻蚀设备在国内主要客户端市场占有率不断提升。
在逻辑集成电路制造环节,公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户 65 纳米到 5 纳米等
先进的芯片生产线上;同时,公司根据先进集成电路厂商的需求,已开发出小于 5 纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求,开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺,能够涵盖 5 纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。
在 3D NAND 芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于 64 层和 128 层的量产,同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖 128 层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。
另外,中微公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产,根据客户的技术发展需求,正在进行下一代产品的技术研发,以满足 5 纳米以下的逻辑芯片、1X 纳米的DRAM 芯片和 128 层以上的 3D NAND 芯片等产品的 ICP 刻蚀需求,并进行高产出的 ICP 刻蚀设备的研发。
此外,在薄膜设备进展方面,中微公司称,公司目前已经组建团队在开发LPCVD设备和EPI设备,研发进展按计划进行中,同时公司将在适当时机通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖。
关于零部件国产化率,中微公司表示,目前公司产品有部分零部件需要进口,公司采取多厂商策略保障零部件及时供应。公司目前刻蚀设备的零部件国产化率大约60%,MOCVD设备的零部件国产化率大约80%。
(校对/Lee)
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