中微半导体之专题报告

1、国内介质刻蚀设备和MOCVD设备双龙头

1.1、公司业绩稳步增长，近三年归母净利润CAGR达154.07%

中微公司是一家立足中国、面向世界的高端半导体设备公司。公司主要从事高端 半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，主要产品包括刻蚀设备、 MOCVD 设备、VOC 设备，广泛应用于集成电路、LED 外延片、功率器件、 MEMS 等半导体产品的制造过程中。

公司经营情况良好，业绩稳步增长。2020 年实现营业收入 22.73 亿元，同比增 长 16.76%，归母净利润 4.92 亿元，同比增长 161.02%，2017-2020 年归母净 利润 CAGR 高达 154.07%。2021 年 H1 实现营业收入 13.39 亿元，同比增长 36.82%，实现归母净利润 3.97 亿元，同比增长 233.17%。

公司半导体设备产品销售收入占比近80%，是公司的主营业务。2020 年公 司专用设备业务实现收入 17.99 亿元，同比增长 13.36%，占营业收入的比 例为 79.11%。2020 年备用备件业务实现收入 4.42 亿元，同比增长 30.77%， 占营业收入的比例为 19.44%。

公司管理费用率和销售费用率先降后升。近两年公司管理费用率和销售费用率略 微有所上升主要是由于公司股权激励导致股份支付费用增加以及职工薪酬费用 的增长所致。近几年公司财务费用率波动较小，公司财务费用主要受利息费用波 动和汇兑收益的波动影响。

公司销售毛利率和销售净利率逐渐改善。2021 年 H1 公司整体毛利率 42.34%， 较 2020 年同期增加 8.42 个百分点。分业务来看，公司主营业务毛利率逐渐改 善，主要是由于毛利率较高的刻蚀设备业务占比逐渐上升，2021 年 H1 公司专 用设备毛利率为 41.54%，较 2020 年同期增加 8.76 个百分点。而 MOCVD 设备 由于竞争激烈，毛利率已经降到很低的水平，2021H1 MOCVD 设备的毛利率有 所回升，达到 30.77%，较 2020 年同期有大幅度提升。预计未来随着公司新一 代 Mini LED MOCVD 设备验证成功以及 Micro LED MOCVD 设备研发成功，公司 主营业务的毛利率将会得到提升。

公司主要聚焦于等离子刻蚀设备、化学薄膜沉积设备，目前已经有四种比较成熟的产品。其刻蚀设备产品包括电容性等离子体刻蚀设备（CCP）和电感性等离子 体刻蚀设备（ICP）, 主要应用在集成电路的制造过程中，公司等离子体刻蚀设 备已应用在国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及其他先进 的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线，并持续提升市占率；MOCVD 设 备，即金属有机化合物化学气相沉积设备，主要应用在 LED 外延片的制造过 程中，公司 MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司 已成为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商。

1.2、大基金持股，助力公司快速发展

中微公司前身中微有限成立于 2004 年 5 月，2018 年 12 月整体变更为股份 有限公司，2019 年 7 月成功登陆科创板，成为科创板首批上市公司之一。 2020 年，福布斯中国将公司评选为“2020 中国最具创新力企业 50 强”， 新浪财经评选公司为“中国上市公司科技创新 60 强”，国家发改委、科技 部等部门认定公司为“国家企业技术中心”。中微公司是高新技术企业，享 受高新技术企业 15%所得税的优惠税率。

公司无控股股东和实际控制人，各项重大决策均需各方共同参与。截至 2021 年 6 月 30 日，公司第一大股东为上海创业投资有限公司，其持股比例为 15.67%。 上海创投是上海科技创业投资（集团）有限公司 100%控股子公司，实际控制人 为上海市国资委。第二、第三大股东分别为巽鑫（上海）投资有限公司（国家集 成电路产业投资基金 100%控股子公司）、嘉兴智微企业管理合伙企业（有限合 伙），持股比例分别为 15.17%、4.98%。

公司定向增发 82.07 亿元，大基金二期获配 25 亿元。为扩充公司现有产品的产 能以及提升在技术研发方面的投入水平，公司于2020年8月启动定向增发，2021 年 3 月获得证监会核准批复。截至 2021 年 6 月 22 日止，中微公司向特定 对象发行 A 股股票总数量为 8022.93 万股，发行价格为 102.29 元/股，实际 募集资金总额为人民币 82.07 亿元。其中，大基金二期获配 25 亿元。公司定向 增发资金主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检测设备，以及部分 零部件等。其中，临港产业化基地将主要承担公司现有产品的改进升级、新产品的开发生产以及产能扩充。中微产业化基地建设项目拟扩充和升级的产品类别为 等离子体刻蚀设备、MOCVD 设备、热化学 CVD 设备等新设备、环境保护设备， 相应产品的产能规划情况分别约为 630 腔/年、120 腔/年、220 腔/年、180 腔 /年。

1.3、公司重视研发，研发投入占营收比重20%以上

公司重视研发投入，研发支出占营收比重保持在 20%以上。2020 年公司研发支 出为 6.40 亿元，同比增长 50.59%，占营业总收入的比重为 28.16%，较 2019 年增加 6.33 个百分点。与北方华创相比，中微公司虽然在研发支出规模上小于 北方华创，但是从研发支出占营业收入的比重来看，二者研发支出占营业收入的 比重均保持在 20%以上，高于芯源微、至纯科技等半导体设备公司。

公司研发实力突出，担了多项国家科技重大专项及其他多项重大科研项目。包括 具有自主知识产权的国产化原创刻蚀装备及 MOCVD 设备，刻蚀机项目成果已顺 利产业化并实现市场销售，项目支持的 MOCVD 设备也在 LED 客户芯片生产 线投入量产。

截至 2020 年 12 月 31 日，中微公司共有研发人员 346 名，占员工总数的 38.70%，硕士及以上学历共 168 人，占研发人员总数的比例为，其中博士 62 人，占研发人员总数的 17.92%。截至 2021 年 6 月 30 日，公司已申请 1,870 项专利，其中发明专利 1,613 项；已获授权专利 1,106 项，其中发明专利 945 项。公司的发明专利“等离子体处理装置及调节基片边缘制程速率的方法”荣获 第二十二届中国专利金奖。

公司 2020 年在研项目共 9 个，主要包括存储器刻蚀的 CCP 和 ICP 刻蚀设备、 Mini-LED 大规模生产的高输出量 MOCVD 设备、Micro-LED 应用的新型 MOCVD 设备等。在研项目所需要的技术水平均为国际先进水平，预计总投资规 模为 15.03 亿元，截止 2020 年末累计投入金额 6.75 亿元。

公司 2021 年定向增发资金部分用于新产品的研发工作，主要包括等离子体刻蚀 设备、薄膜沉积设备等优势产品，技术储备情况良好，部分产品已经拥有相关核 心专利。新产品的研发有助于公司不断巩固和提高技术先进性，帮助公司进一步 提高产品的市占率，继续在细分领域保持优势地位。

1.4、创始团队及核心技术人员拥有国际半导体设备公司的从业经验

集成电路产业的发展需要资金、技术、人才，目前我国最紧缺的是技术和人才， 而人才缺失会限制技术的发展。因此，目前影响我国集成电路产业发展的关键因 素是人才。

中微公司创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内 具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一。其创始人、董事长及总经理 尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过 30 年的行业经验，是国际等离子 体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。2018 年美国 VLSI Research 的 全球评比中，中微公司董事长尹志尧博士与英特尔董事长、格罗方德 CEO 等一 起被评为 2018 年国际半导体产业十大领军明星（All Stars）。

公司已经通过全员持股方式将员工个人利益和公司利益绑定在一起，有效提高了公司员工的忠诚度和以及公司的凝聚力。公司于 2018 年 12 月 31 日签订《员 工持股计划协议》，设立境内外员工持股平台南昌智微、中微亚洲、Grenade、 Bootes、励微投资、芃徽投资，公司在科创板 IPO 前，六家员工持股平台持股 比例分别为 6.37%、5.15%、2.38%、2.31%、0.41%和 0.05%，合计持股比例 为 16.67%。2020 年公司股权激励计划授予限制性股票 670 万股，2020 年因 实施股权激励计划产生股份支付费用约 1.24 亿元。

公司人均薪酬水平领先同行，有利于提升关键技术人员和研发团队的积极性和创 造性。中微公司 2020 年人均薪酬 47.51 万元，大幅领先同行业公司人均薪酬水 平。其中，研发人员共 346 人，研发人员平均薪酬为 54.81 万元。

关键技术人员是半导体设备公司生存和发展的关键，也是公司获得持续竞争优势 的基础。随着半导体设备行业对专业技术人才的需求与日俱增，人才竞争不断加 剧，更好的发展平台、更有竞争力的薪酬待遇及良好的研发条件才能吸引优秀人 才，降低核心技术人员流失风险。中微公司通过全员持股激励制度以及丰厚的薪 酬体系吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成熟的研发 和工程技术团队，不断提升公司技术水平和市场竞争力，引领国内半导体设备和 技术的发展。

2、国产替代进程加速，公司刻蚀设备市占率有望进一步提升

2.1、半导体设备市场规模屡创新高，中国大陆首次成为全球最大的半导体设备市场

半导体专用设备泛指用于生产各类半导体产品所需的生产设备，属于半导体行业 产业链的支撑环节。半导体设备行业是半导体芯片制造的基石，撑起来了整个现 代电子息产业，是半导体行业的基础和核心。

应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设 备（封装测试）两大类。其中，在前道晶圆制造中，共有七大工艺步骤，分别为 氧化/扩散（Thermal Process）、光刻（Photolithography）、刻蚀（Etch）、 清洗（Clean）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric and Metal Deposition）、化学机械研磨（ CMP），制造过程中所用到的专用设备主要包 括氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、清洗设备、离子注入设备、薄膜沉积 设备、化学机械抛光设备。

全球半导体设备市场有望在 2022 年突破 1000 亿美元。

中国大陆2020年半导体设备销售额达187.2亿美元，首次成为全球最大的半导 体设备市场。据国际半导体产业协会（SEMI）统计，2020 年中国大陆半导体设 备销售额达 187.2 亿美元，同比增长 39％，首次成为全球最大的半导体设备市 场，2013-2020 年我国大陆半导体设备销售额年均复合增长率达 27.76%。中国台湾地区 2020 年半导体设备销售额排名第二，为 171.5 亿美元，占全球半导体 设备市场销售额的比例为 24.09%。

虽然我国半导体市场规模庞大，但目前半导体设备自给率低。

2.2、刻蚀设备是晶圆制造三大主设备之一，价值量不断上升

刻蚀是指用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程，是与 光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体制造工艺的关键步骤。刻蚀 的基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形，经过物理或者化学刻蚀之 后，衬底上留下的图形电路就与掩膜版的形状一模一样了。

制造先进的集成电路器件，良率对产品的影响至关重要。集成电路器件一层结构 的加工就需要十几个步骤，如果要建立 60 层的复杂结构，就需要约 1,000 个 加工步骤。单个步骤的良率即使达到 99.0%，1000 个步骤后的良率就趋近于零。 因此只有每个步骤的良率均达到 99.99%，才能实现总体良率 90%以上。

3D NAND 层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比。集成电路 2D 存储器件 的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入 3D 时代。3D NAND 制造工艺中， 增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧 化硅和氮化硅一对的叠层结构上，加工 401 到 601 的极深孔或极深的沟槽。

芯片线宽的缩小及新制造工艺的采用（如多重模板工艺），对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、 深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满 足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步，例如刻蚀设备的静电吸盘从原来的四 分区扩展到超过 20 个分区，以实现更高要求的均匀性；更好的腔体的温度控制 实现生产重复性的提高。

集成电路产线投资70-80%用于购买半导体设备，刻蚀设备、薄膜沉积设备和光 刻设备是三大主设备。先进集成电路大规模生产线的投资可达 100 亿美元，75% 以上的投资用于购买半导体设备，而晶圆制造相关设备投资额占比约为总体设备 投资的 80%，刻蚀设备、薄膜沉积设备、光刻设备设备是晶圆制造的三大主要 设备，2019 年三大主要设备投资规模占晶圆制造设备总投资的比例分别为 30%、 25%、23%。

刻蚀设备市场增长迅速。目前，存储 器件正从 2D 向 3D 结构转变，逻辑器件向 3nm 等技术节点发展，这些工艺的变 化使得等离子体刻蚀设备成为更关键的设备，其市场增速超过光刻机和其他前道 设备。

刻蚀设备在晶圆厂产线中的价值占比正在不断提升。随着国际上高端芯片从 14 纳米向 7 纳米、5 纳米甚至更小的方向发展，当前市场普遍使用的沉浸式光刻机 受光波长的限制，必须采用多重曝光工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得 刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。

2.3、政策和需求双轮驱动，刻蚀设备国产替代进程加快

半导体的应用涉及计算、通讯、工业控制等多个领域，半导体行业越来越成为经 济发展的基础行业，保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是大国竞争 的焦点，而半导体专用设备业是半导体行业的重要支撑，属于国家高度重视和重 点支持的战略新兴行业。为推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争 力，我国近年来推出了一系列鼓励和支持半导体产业发展的政策，为包括设备在 内的半导体产业的发展营造了良好的政策环境。

2014 年 6 月，国家颁布《集成电路产业发展推进纲要》，提出设立国家集成电 路产业基金(简称“大基金”)，将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度， 国家集成电路产业投资基金股份有限公司（简称“大基金一期”）应运而生。大 基金一期成立于 2014 年，目标规模 1387.00 亿人民币。大基金一期的第一着力 点是集成电路制造领域，主要解决国内代工产能不足、晶圆制造技术落后等问题， 投资方向集中于存储器和先进工艺生产线，其中集成电路制造占 67%，设计占 17%，封测占 10%，装备材料类占 6% 。截至 2021 年 6 月 30 日，大基金一期 通过巽鑫（上海）投资有限公司（大基金一期 100%控股子公司）持有中微公司 15.17%的股份，为中微公司第二大股东。

国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（大基金二期）参与中微公司定向 增发，助力公司发展。大基金二期成立于 2019 年 10 月 22 日，注册资本高达 2041.5 亿元，截至 2021 年 6 月 30 日，大基金二期持有中微公司 3.97%的股份， 为公司的第五大股东。

晶圆厂不断扩张，半导体设备需求旺盛，预计2022年集成电路晶圆加工设备市 场规模可达851亿美元。在半导体制造产业中，半导体设备行业的客户是晶圆 厂。当半导体终端需求增长时，晶圆厂会加大资本性支出，扩大其生产规模，开 始建设新厂或进行产能升级。随着晶圆厂的资本性支出加大，半导体设备销售也 会随之增长。

硅单晶炉、封装设备等技术壁垒较低领域，国产设备市场占有率逐步提高，核心 设备国产化率仍然偏低。封装设备国产化率达 19%，然而光刻机、刻蚀设备和 薄膜沉积设备国产化率小于 10%，主要是由于这些核心设备技术壁垒高，对产 线良率影响较大。

刻蚀设备国产化进程加快，中微公司表现亮眼。

3、公司是氮化镓基LED MOCVD 设备龙头

中国大陆正处于新一代智能手机、物联网、人工智能、5G 通等行业快速崛起 的进程中，中国已成为全球最重要的半导体应用和消费市场之一。终端应用产品 需求扩张、国家战略支持以及本土企业技术突破，我国半导体设备企业迎来机遇， 半导体设备国产替代率有望取得历史性突破。

2.4、CCP刻蚀设备在国内继续保持优势，ICP刻蚀设备份额逐渐增长

干法刻蚀在半导体刻蚀市场占主导地位。按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻 蚀以及湿法刻蚀。由于干法刻蚀可以实现各向异性刻蚀，符合现阶段半导体制造 的高精准、高集成度的需求，因此在小尺寸的先进工艺中，基本采用干法刻蚀工 艺，导致干法刻蚀在半导体刻蚀市场中占据绝对主流地位，市场占比超过 90%。

干法刻蚀主要是刻蚀介质材料（氧化硅、氮化硅、二氧化铪、光刻胶等）、硅材 料（单晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金属材料（铝、钨等）。根据 Gartner 统 计数据，2020 年，全球集成电路制造干法刻蚀设备市场规模回升至 136.89 亿 美元，同比增长 25.36%，在全球集成电路制造设备市场的规模占比达 21.10%； 到 2025 年，全球集成电路制造干法刻蚀设备市场规模预计将增长至 181.85 亿 美元，年复合增长率约为 5.84%。

中微公司刻蚀设备业务国内领先，但其全球市占率较低。根据 Gartner 统计数 据，2020 年全球干法刻蚀设备行业市场集中度较高，CR3 达到 90.24%，其中 泛林半导体以 46.71%的市场份额排在第一位。中微公司、北方华创、屹唐股份 市场份额分别为 1.37%、0.89%、0.10%，与泛林半导体、东京电子、应用材料 的市场份额相比，差距较大。目前，中微公司、北方华创、屹唐股份等企业尚处 于追赶阶段，全球市场占有率较低。

中微公司刻蚀设备业务以生产干法刻蚀（等离子体刻蚀）设备为主。等离子体刻 蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体反应腔和 主机传递系统构成。根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等 离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP）。电容性等离子体刻蚀设备 主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。 电感性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。

公司电容性刻蚀设备（CCP）在国内继续保持领先优势。中微公司从 2004 年成 立开始就着手开发甚高频去耦合的 CCP 刻蚀设备 Primo D-RIE，到目前为止 已成功开发了双反应台 Primo D-RIE，双反应台 Primo AD-RIE 和单反应台的 Primo AD-RIE 三代刻蚀机产品，涵盖 65 纳米、45 纳米、32 纳米、28 纳米、 22 纳米、14 纳米、7 纳米到 5 纳米关键尺寸的众多刻蚀应用，部分产品批量 应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线。

公司ICP刻蚀设备竞争力不断增强。公司从 2012 年开始研发 ICP 刻蚀设备， 到目前为止已成功开发出单反应台的 Primo nanova 刻蚀设备，涵盖 14 纳 米、7 纳米到 5 纳米关键尺寸的刻蚀应用。2021 年 6 月,公司 ICP 设备 Primo Nanova 第 100 台反应腔顺利交付,经过客户验证的应用数量也在持续增加。 2021 年 3 月公司推出的 Primo Twin-Star ICP 刻蚀设备，用于 IC 器件前道和后 道制程导电/电介质膜的刻蚀应用，目前已收到来自国内领先客户的订单。随着 微观器件越做越小，薄膜厚度越来越薄，线宽控制越来越严，ICP 刻蚀机取代以 往的 CCP 刻蚀设备成为市场规模占主导地位的设备。

3、公司是氮化镓基LED MOCVD 设备龙头

3.1、MOCVD设备是LED芯片制造中的核心设备

MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapour Deposition，金属有机化学气相沉 积设备），是在基板上生长半导体薄膜的一种技术。MOCVD 是以Ⅲ族、Ⅱ族元 素的有机化合物和 V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长原材料，以热分解反应 方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V 族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们 的多元固溶体的薄层单晶材料。利用 MOCVD 技术，许多纳米层可以以极高的精 度沉积，每一层都具有可控的厚度，以形成具有特定光学和电学特性的材料。

目前 MOCVD 设备主要用于氮化镓基及砷化镓基半导体材料外延生长，其中氮 化镓基 LED MOCVD 主要用于生产氮化镓基 LED 和功率器件的外延片。除用 于制造通用照明和背光显示的蓝光 LED，MOCVD 设备还可制造应用于高端显 示的 Mini LED 和 Micro LED、紫外 LED、电力电子的功率器件等。

Micro LED 技术体系复杂，成为各企业部署重点，产业化应用指日可待。Micro LED 是下一代显示技术的重要技术路线，在消费电子市场拥有广阔的应用空间， 衬底和外延、芯片器件、颜色混合等各环节技术重点对现有的产业链都提出了新 的技术指标和要求，对于设备、工艺等关键领域都有研发需求。随着 Micro LED 技术逐渐成熟，将拉动 MOCVD 设备市场规模逐步上升。

MOCVD 设备采购金额一般占 LED 生产线总投入的一半以上，是 LED 外延片 制造中最重要的设备。

3.2、下游企业大规模布局 Mini/Micro LED， 释放新一轮需求

过去几年，LED 厂商扩产的主要方向为蓝绿光外延片，应用领域主要集中在照 明市场。受内需不振和新冠疫情影响，我国照明市场增速持续下调。2010-2019 年，我国半导体照明市场规模逐渐扩大，但增速放缓。2020 年中国大陆照明产 业整体产值为 7013 亿元，同比下降 7.1%，其中，上游外延芯片规模约 221 亿元。预计随着下游需求逐渐回暖，半导体照明产业规模有望回升。

Mini LED 市场元年正式开启，有望带动MOCVD设备市场快速增长。我国是全 球最大的 LED 显示屏生产基地，拥有完备的产业链及配套企业，随着 Mini LED 技术快速突破，成本迅速下降，在超高清电视、高阶显示器等市场需求拉动下， Mini LED 背光和显示市场开始起量。

Micro LED 技术体系复杂，成为各企业部署重点，产业化应用指日可待。Micro LED 是下一代显示技术的重要技术路线，在消费电子市场拥有广阔的应用空间， 衬底和外延、芯片器件、颜色混合等各环节技术重点对现有的产业链都提出了新 的技术指标和要求，对于设备、工艺等关键领域都有研发需求。随着 Micro LED 技术逐渐成熟，将拉动 MOCVD 设备市场规模逐步上升。

公司通过参股聚源芯星参与中芯国际在科创板上市的战略配售，有利于与中芯国 际保持良好的战略合作关系。

深紫外 LED 杀菌消毒应用市场增长，催生对相应 MOCVD 设备的需求。紫外线 灭菌消毒作为一种物理消毒方法，与传统的化学药剂消毒相比，具有无抗药性、 无化学残留、可连续杀灭病毒、方便调节剂量等优点；同时，与传统紫外汞灯相 比，具有功耗低、发光响应快、寿命高、辐射效率高、对环境无污染等优点，未 来潜在的市场规模巨大。目前，很多企业纷纷布局紫外线 LED 业务。

据 CSA Research 不完全统计，2020 年 LED 上下游企业以及显示终端企业纷纷 入局，国内共有 16 笔 Mini/Micro-LED 投资项目，已披露的投资金额超过 180 亿 元；国内 UV LED 项目投资企业数量超过 20 家，已披露的投资金额 50 亿元， 新建产线项目占比超过 40%。传统 LED MOCVD 设备迎来拐点，Mini/Micro LED 等新兴领域将成为 MOCVD 设备市场新的增长点。随着下游企业加速布局 Mini / Micro LED 等新兴领域，MOCVD 设备需求将大幅上升。

3.3、推出新一代 Primo Unimax，公司有望继续保持氮化镓基LED MOCVD设备龙头地位

我国已成为全球 MOCVD 设备最大需求市场，设备保有量不断增长。根据 LED inside 统计，中国已成全球 MOCVD 设备最大的需求市场，MOCVD 设备保有 量占全球比例已超 40%。根据高工 LED 数据显示，2015 年至 2017 年中国 MOCVD 设备保有量从 1,222 台增长至 1,718 台，年均复合增长率达 18%。

2017 年以前主要由维易科、爱思强等国际企业占据 MOCVD 设备主要市场份 额，2017 年以来中微公司的 MOCVD 设备产品逐步取得突破。根据 IHS Markit 统计数据，2018 年中微公司的 MOCVD 占据全球氮化镓基 LED MOCVD 设备 新增市场的 41%；尤其在 2018 年下半年，中微公司的 MOCVD 设备更是占 据了全球新增氮化镓基 LED MOCVD 设备市场的 60%以上。2018 年中微公司 在全球氮化镓基 LED MOCVD 设备市场占据领先地位。

公司从 2010 年开始开发用于 LED 外延片加工中最关键的设备—MOCVD 设备， 2013 年推出第一代设备 Prismo D-Blue，用于蓝绿光 LED 外延片及功率器件 生产。随后推出了 Prismo A7、Prismo HiT3 设备，分别用于蓝绿光 LED、深 紫外 LED 外延片生产，丰富了产品种类。随着 LED 电视、平板电脑、笔记本电 脑、桌面显示器、智能手机和车载显示等应用需求的不断增长，Mini-LED 成为 面板企业和 LED 企业关注的焦点。中微公司顺势而为，于 2021 年 6 月 17 日正 式发布用于高性能 Mini-LED 量产的 MOCVD 设备 Prismo UniMax，目前该设备 在客户端进度良好。

公司与三安光电、华灿光电、乾照光电、璨扬光电等一流 LED 外延片及芯片制 造厂商长期保持密切合作关系，其新推出的 Primo Unimax 以及之后推出的用 于红黄光 LED、紫外光 LED 等 MOCVD 设备都将有机会进入一流的 LED 外延 片及芯片制造厂商，有助于公司 MOCVD 设备业务的发展。随着公司 Mini/Micro LED MOCVD 设备研发不断取得新进展，公司在 MOCVD 设备方面有望继续保持 领先优势。

4、内生外延，打造平台型企业

4.1、实施三维发展战略，谋求新发展新突破

公司已形成三个维度扩展未来公司业务的布局规划深耕集成电路关键设备领 域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。在集成电路 设备领域，公司考虑扩大在刻蚀设备领域的竞争优势，延伸到薄膜、检测等其他 关键设备领域；公司计划扩展在泛半导体领域设备的应用，布局显示、MEMS、 功率器件、太阳能领域的关键设备；公司拟探索其他新兴领域的机会，利用独特 的设备及工艺技术，考虑从设备制造向器件大规模生产的机会，以及探索更多集 成电路及泛半导体设备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等领域的市场 机会。

根据公司公告，公司将在 2021-2025 年内与国内外其他合作伙伴协作开发其他 新产品，预计投入资金约 15.8 亿元，涉及红黄光 MOCVD 设备、大面积平板显 示设备和集成电路设备、PECVD 等化学薄膜设备以及集成电路光学检测设备。 未来如果这些设备研发进展顺利，将拓宽公司现有业务，避免单个产品收入波动 对公司整体业绩产生较大影响。

公司和协作单位在上述领域有相当的技术储备和积累，项目开展过程中，能充分 发挥各自在产品、技术方面的优势，有利于快速推进并开发更多、更好的设备产 品以覆盖更多的技术应用和更大范围的细分市场。未来随着公司各投资项目顺利 进行，公司有机会进行更高水平的产业链整合，打造成为高端平台型设备公司。

4.2、外延式扩张，拓宽公司业务

公司通过投资并购国内外高端的半导体设备厂商或与海内知名设备厂商进合作 开发，使公司能够覆盖更多的产品品类、占领更多细分市场，同时进行高层次的 产业链整合，为公司的长期可持续成长奠定基础。公司重点布局了刻蚀设备、薄 膜沉积设备和测量设备等领域的设备公司，以及其他泛半导体领域设备公司，完 成了对完成对拓荆科技（薄膜沉积设备）、中芯国际（Foundry）、睿励科学仪 器（检测设备）、理想万里晖（PECVD 设备）、中欣晶圆（晶圆片）、山东天 岳（第三代半导体碳化硅材料）、昂坤视觉（光学测量和检测设备）、博日科技 （生命科学仪器和试剂）、德龙激光（激光设备）等公司的投资。

公司通过参股聚源芯星参与中芯国际在科创板上市的战略配售，有利于与中芯国 际保持良好的战略合作关系。

中芯国际

中芯国际是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、 规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业，主要为客户提供 0.35 微米至 14 纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套 服务。 在逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家实现 14 纳米 FinFET 量 产的集成电路晶圆代工企业，代表中国大陆自主研发集成电路制造技术的最先进 水平；在特色工艺领域，中芯国际陆续推出中国大陆最先进的 24 纳米 NAND、 40 纳米高性能图像传感器等特色工艺，与各领域的龙头公司合作，实现在特殊 存储器、高性能图像传感器等细分市场的持续增长。

拓荆科技

拓荆科技主要从事薄膜沉积设备的研发、生产、销售和技术服务，薄膜沉积设备 是芯片制造过程中的三大主设备之一。其主要产品包括等离子体增强化学气相沉 积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD） 设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造 产线，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试，拓荆科技是国内唯一一家产 业化应用的集成电路 PECVD、SACVD 设备厂商。先后四次承担国家重大科技 专项/课题，被中国半导体行业协会评为 2016 年度、2017 年度、2019 年度“中 国半导体设备五强企业”。

拓荆科技股权结构分散，无实际控制人。截至 2021 年 7 月 12 日,中微公司持有 11.20%的股份，为拓荆科技的第三大股东，拓荆科技前两大股东分别为国家集 成电路产业投资基金（大基金一期）、上海国投科技成果转化创业投资基金，持 股比例分别为 26.48%、18.23%。

薄膜沉积是指在硅片衬底上沉积一层待处理的薄膜材料。所沉积薄膜材料可以是 二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属。沉积的膜可以为无定形、多 晶的或者单晶。在晶圆制造过程中，这三种薄膜都会被用到。薄膜沉积设备主要 负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积，包括 CVD（化学气相沉积）设备、 PVD（物理气相沉积）设备和 ALD（原子层沉积）设备，其中 ALD 又是属于 CVD 的一种，是先进制程部分工序节点所需的薄膜沉积设备。新建晶圆厂设备投资中，晶圆制造相关设备投资额占比约为总体设备投资的 80%，薄膜沉积设备作为晶 圆制造的三大主设备之一，其投资规模占晶圆制造设备总投资的 25%。

薄膜沉积设备市场规模持续增长。

薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面，国外厂商占主导地位。从市场份 额来看，2019 年应用材料（AMAT）CVD 设备收入占全球 CVD 设备市场规模约 为 30%，连同泛林半导体（Lam） 的 21%和 TEL 的 19%，三大厂商占据了 全球 70%的市场份额。

随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉 动市场对薄膜沉积设备需求的增加。未来，技术发展将加速下游半导体产品需求 增长，全球集成电路制造业产能将进一步扩张，全球半导体薄膜沉积设备市场规 模将因此高速增长。Maximize Market Research 预计全球半导体薄膜沉积设备 市场规模在 2025 年将从 2020 年的 172 亿美元扩大至 340 亿美元，保持年 复合 14.6%的增长速度。

薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇。

睿励科学仪器

截至 2021 年 8 月 11 日，中微公司持有睿励科学仪器 20.45%的股份，为公司第 一大股东。睿励科学仪器主要从事集成电路生产制造工艺装备产业中的工艺检测 设备的研发和生产，主要设备包括光学薄膜测量设备、光学关键尺寸测量设备、 缺陷检测设备。2021 年 6 月 20 日，睿励科学仪器公司自主研发的第三代光学 膜厚量测设备 TFX4000i 正式交付客户，标志着睿励在集成电路前道检测领域的 核心竞争力得到了大幅提高。

集成电路检测设备主要分为前道量测设备和后道测试设备，检测设备是提升与控 制芯片良率的关键，贯穿整个半导体制造过程。前道量检测根据测试目的可以细 分为量测和检测。 量测主要是对芯片的薄膜厚度、关键尺寸、套准精度等制程 尺寸和膜应力、掺杂浓度等材料性质进行测量，以确保其符合参数设计要求；而 检测主要用于识别并定位产品表面存在的杂质颗粒沾污、机械划伤、晶圆图案缺 陷等问题。

随着我国半导体产业的不断发展，检测设备作为能够提高制程控制良率、提高效 率与降低成本的重要检测仪器，未来在半导体产业的地位将会日益凸显。

检测设备行业集中度较高，国外厂商占主导地位。从市场份额来看，2019 年全 球前道检测领域前三厂商分别为科磊半导体（美国）、应用材料（美国）、日立 （日本），其前道检测设备收入占全球前道检测设备市场规模的比率分别约为 52%、12%、11%。目前，国内前道检测领域主要企业有上海睿励、上海精测、 中科飞测等，整体规模尚较小。