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美国禁售晋华事件进一步发酵10月29日下午，美国商

作者：ST高吸低抛
2018-11-01 21:41:59
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美国禁售晋华事件进一步发酵

10月29日下午，美国商务部以威胁国家安全为由，将存储芯片制造商福建晋华集成电路实施紧急禁售令，禁止美国企业向后者出售零部件、软件和技术产品。

10月31日，联电宣布将暂停为福建晋华提供研发协助，台湾半导体设备已经不能出售给晋华。回想上次禁售中兴的过程，台湾部分企业也申明过不供货。这次禁令一方面在毛衣战的枪口上，另外也是此前美光-联电-晋华三者间专利纠纷的延续与深化。

在2017年12月，美光指控联电与福建晋华合作研发DRAM，涉嫌侵害营业祕密；并指控晋华透过联电招揽台湾员工，窃取美光档案，以加持晋华的芯片技术。之后，联电遭台中地检署起诉。对于这场起诉已有近1年的时间，目前还在台中地方法院审理中。

抛开上面这些因素，我们来一下DRAM: DRAM全名是动态随机存取存储器，DRAM、NAND Flash 和NOR Flash并称为存储器。其中，DRAM 约占存储器市场53%。大家电脑上的内存条，就是DRAM的用途之一，我们手机上通常说的4G运行内存即为DRAM。

目前全球范围内，三星、海力士，美光为全球DRAM的三大巨头，在全球的市场份额接近95%。自上世纪90年代之后，全球存储器制造厂商未见有一家“新进者“。国内目前还没有自主研发的DRAM产品量产，现在的自给率仍然是零。我国集成电路每年超过2000亿美元的进口额中，处理器和存储器两类高端通用芯片合计占70%以上。所以自研生产存储器，对于中国半导体业具里程碑意义，也是为了实现产业“自主可控”的目标。

目前国内存储器三强：长江存储、合肥长鑫、福建晋华

1、长江存储是由紫光集团与武汉新芯合作成立，首期投入超过600 亿元，预计未来还将追加300 亿美元。2017 年2 月宣布与微电子所联合研发的32 层3D NAND Flash 芯片顺利通过测试，目前已累积多个3D NAND 专利，有望2018 年底顺利投产，预计2020 年月产能将达30 万片。紫光还计划在成都和深圳投资两条总产能14 万/月的NAND Flash12 寸生产线，不过制程节仍落后国际大厂1-2 代。目前长江存储的重心放在3D NAND flash 的开发上面，同时也在推进20/18nm 的DRAM 开发，DRAM 进度慢于NAND FLASH，预计DRAM 最快将于2020 年量产。

2、合肥长鑫由【兆易创新(603986)、股吧】、中芯国际前CEO 王宁国与合肥产投签订协议成立，项目预算金额为180 亿元人民币。兆易创新负责研发19nm 工艺制程的12 英寸晶圆移动型DRAM,目标于2018 年底前研发成功，实现产品良率不低于10%。到时，合肥长鑫将成为中国第一家自主化大规模DRAM 工厂，将是世界第四家突破20nm 以下DRAM 生产技术的公司。

3、福建晋华项目由台联电提供技术专攻利基型DRAM（消费电子），已投资56.5 亿元在晋江建设12 寸晶圆厂，初期将导入32nm 制程，规划产能为每月6 万片。福建晋华计划在今年年底进行小量投片试产，预计2019年初可以几千片的规模进入投产，目前由于这一事件，恐怕会对进程有所影响。

我们认识到，存储器不是愿意砸大钱，就能一定成功。还需有技术、人才。技术大家也到了，目前受到诸多阻挠，后期产量后的专利纠纷估计也不可避免。从之前的阻止半导体企业国际并购到现在的禁售，后面不知道还有什么招在候着，但这是这是中国半导体业成长必须要经历的过程及支付的代价。

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