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走过寒冬,存储芯片开始强势周期上行!
5月31日,韩国统计厅公布的数据显示,4月份芯片库存同比下降33.7%,为2014年底以来的最大降幅。
再根据韩国之前公布的数据,4月份芯片出口同比增长53.9%,其中存储芯片出口额同比大幅增长98.7%。
韩国的情况绝非个例。
自2023年年底起,全球半导体存储产业已逐渐迈入一个上升周期,并在今年内多次收到上游存储芯片厂商关于提高合约价格的通知。
与之对应的,各大存储芯片厂商的业绩彻底迎来反转。
三星电子2024年一季度营业利润达6.61万亿韩元(约人民币347.48亿元),同比增长931.87%,超2023全年总和。
美光2024财年二季度实现营收58.2亿美元,环比上升23%,同比大增58%,毛利率达20%,强于市场预期。
那么,什么原因导致存储芯片周期上行?
存储芯片价格的上涨,背后的原因主要是供需情况的改善。
1、供给层面
由于在此前存储周期下行区间,各种产品市场价格出现显著下滑,主要存储厂商业绩均出现显著下滑甚至大幅亏损。
因此为了避免市场价格进一步下跌,存储芯片主要龙头厂商都纷纷采取了实质性减产的举措。
以三星和美光为例,三星2023年一季度,DRAM和NAND Flash分别减产20%和30%,三季度继续扩大减产规模分别达到30%和40%。
美光减产的时间更早,2022年底就宣布将DRAM减产20%,2023年年中将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至近30%,并宣布减产将持续到2024年。
三星和美光两大存储芯片的垄断寡头的大幅减产,使得市场供应减少,同时也给下游应用厂商价格上升的预期,在低价时提前储备库存。
2、需求层面
DRAM需求中,约50%来自PC和服务器、约35%来自智能手机。
去年年初,由OpenAI发布的ChatGPT开启了AI大浪潮时代,而后各大厂商相继开发并推出大模型产品,针对AI服务器的工作场景需要提供更大的容量、更高的性能、更低的延迟和更高的响应速度,这当中产生的海量数据集传输和储存,无疑是对存力提出了更高的要求。
根据测算,AI服务器所需的DRAM和NAND分别是常规服务器的8倍和3倍,这些显然会成为支撑存储市场增长的强劲驱动力。
不仅如此,今年消费电子行业也迎来了翻转。
2024年一季度全球智能手机出货量2.894亿部,同比上升7.8%。
就连PC市场在经历了连续两年的下滑之后,于2024年第一季度也迎来了季度同比增长,共计出货量5980万台,同比增长5.10%。
各种因素叠加之下,存储芯片需求开始迅速回升。
存储芯片价格上涨,投资机会在哪里呢?
存储芯片行业产业链上游参与者包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料供应商和光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备、封测设备等半导体设备供应商。
产业链中游为存储芯片制造商,主要负责存储芯片的设计、制造和封测,常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等。
存储芯片价格上涨,中游是最先受益的环节。
在DRAM领域,市场主要被韩国三星、SK海力士以及美国美光这三家公司所占据,形成了较为明显的垄断格局,而国内市场上,合肥长鑫成为主要的DRAM芯片制造商。
另一方面,在NAND Flash领域,三星凭借其技术和市场优势,占据了34%的市场份额,处于领先地位。
紧随其后的日本铠侠、美国西部数据、SK海力士和美光等公司在市场份额上则相对接近,呈现出较为均衡的竞争态势。而国内,长江存储成为NAND Flash领域的主要厂商。
A股中,则有兆易创新、佰维存储、德名利、北京君正、江波龙等,并且大多数一季度业绩已经实现逆转。
众多公司中,哪家最值得投资者长线关注?
投资不能蹭热点,尤其是科技行业,更要选择具备技术硬实力的企业。
兆易创新是国内少数能同时提供自研的NOR Flash、NAND Flash及DRAM产品且在代码型存储市场与国际龙头公司相比肩的公司之一,也是全球领先的Fabless芯片供应商。
公司业绩方面
受益于原厂减产、大宗存储价格增长以及原厂对HBM、DDR5产能切换,公司产品价格触底回升,业绩出现反转。
2024年一季度,公司营业收入16.27亿元,同比增长21.32%,归母净利润2.05亿元,同比增长36.45%。
在发展模式上兆易创新避开国际巨头及大市场领域,选择NOR Flash、利基DRAM等小众领域发展,逐步站稳并拓展市场。
NOR Flash产品方面
目前在NOR Flash领域全球市占率第三、中国第一,Arm通用32位MCU中国第一,触控芯片全球第四,指纹识别芯片全球第三、中国第二。
公司2023年NOR Flash出货量创新高,达到25.33亿颗,实现同比16.15%增长;SLCNAND Flash产品在消费电子、工业、汽车电子等领域已经实现了全品类的产品覆盖,2023年出货量大幅增长。
DRAM产品方面
兆易创新已经具备DDR3和DDR4两条产品线多个产品型号,2023年市场拓展效果明显,总成交客户数量稳步增加。
公司2024年3月29日公告,拟以15亿元参与长鑫科技新一轮融资,本次增资后,将持有长鑫科技约1.88%股权。
长鑫科技是目前国内唯一的国产一体化动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商,专业从事DRAM芯片的设计、研发、生产和销售,兆易创新参股长鑫科技后,将会在DRAM技术领域获得核心的竞争优势。
未来随着存储价格持续涨价带来的营业利润率改善,存储龙头厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击,行业存在较大的反弹空间。
兆易创新作为行业龙头,手握核心技术,在行业上行过程中将会持续受益。
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来源飞鲸投研
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603986,市占率第一的存储芯片龙头,唯一对标三星的公司!
走过寒冬,存储芯片开始强势周期上行!
5月31日,韩国统计厅公布的数据显示,4月份芯片库存同比下降33.7%,为2014年底以来的最大降幅。
再根据韩国之前公布的数据,4月份芯片出口同比增长53.9%,其中存储芯片出口额同比大幅增长98.7%。
韩国的情况绝非个例。
自2023年年底起,全球半导体存储产业已逐渐迈入一个上升周期,并在今年内多次收到上游存储芯片厂商关于提高合约价格的通知。
与之对应的,各大存储芯片厂商的业绩彻底迎来反转。
三星电子2024年一季度营业利润达6.61万亿韩元(约人民币347.48亿元),同比增长931.87%,超2023全年总和。
美光2024财年二季度实现营收58.2亿美元,环比上升23%,同比大增58%,毛利率达20%,强于市场预期。
那么,什么原因导致存储芯片周期上行?
存储芯片价格的上涨,背后的原因主要是供需情况的改善。
1、供给层面
由于在此前存储周期下行区间,各种产品市场价格出现显著下滑,主要存储厂商业绩均出现显著下滑甚至大幅亏损。
因此为了避免市场价格进一步下跌,存储芯片主要龙头厂商都纷纷采取了实质性减产的举措。
以三星和美光为例,三星2023年一季度,DRAM和NAND Flash分别减产20%和30%,三季度继续扩大减产规模分别达到30%和40%。
美光减产的时间更早,2022年底就宣布将DRAM减产20%,2023年年中将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至近30%,并宣布减产将持续到2024年。
三星和美光两大存储芯片的垄断寡头的大幅减产,使得市场供应减少,同时也给下游应用厂商价格上升的预期,在低价时提前储备库存。
2、需求层面
DRAM需求中,约50%来自PC和服务器、约35%来自智能手机。
去年年初,由OpenAI发布的ChatGPT开启了AI大浪潮时代,而后各大厂商相继开发并推出大模型产品,针对AI服务器的工作场景需要提供更大的容量、更高的性能、更低的延迟和更高的响应速度,这当中产生的海量数据集传输和储存,无疑是对存力提出了更高的要求。
根据测算,AI服务器所需的DRAM和NAND分别是常规服务器的8倍和3倍,这些显然会成为支撑存储市场增长的强劲驱动力。
不仅如此,今年消费电子行业也迎来了翻转。
2024年一季度全球智能手机出货量2.894亿部,同比上升7.8%。
就连PC市场在经历了连续两年的下滑之后,于2024年第一季度也迎来了季度同比增长,共计出货量5980万台,同比增长5.10%。
各种因素叠加之下,存储芯片需求开始迅速回升。
存储芯片价格上涨,投资机会在哪里呢?
存储芯片行业产业链上游参与者包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料供应商和光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备、封测设备等半导体设备供应商。
产业链中游为存储芯片制造商,主要负责存储芯片的设计、制造和封测,常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等。
存储芯片价格上涨,中游是最先受益的环节。
在DRAM领域,市场主要被韩国三星、SK海力士以及美国美光这三家公司所占据,形成了较为明显的垄断格局,而国内市场上,合肥长鑫成为主要的DRAM芯片制造商。
另一方面,在NAND Flash领域,三星凭借其技术和市场优势,占据了34%的市场份额,处于领先地位。
紧随其后的日本铠侠、美国西部数据、SK海力士和美光等公司在市场份额上则相对接近,呈现出较为均衡的竞争态势。而国内,长江存储成为NAND Flash领域的主要厂商。
A股中,则有兆易创新、佰维存储、德名利、北京君正、江波龙等,并且大多数一季度业绩已经实现逆转。
众多公司中,哪家最值得投资者长线关注?
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兆易创新是国内少数能同时提供自研的NOR Flash、NAND Flash及DRAM产品且在代码型存储市场与国际龙头公司相比肩的公司之一,也是全球领先的Fabless芯片供应商。
公司业绩方面
受益于原厂减产、大宗存储价格增长以及原厂对HBM、DDR5产能切换,公司产品价格触底回升,业绩出现反转。
2024年一季度,公司营业收入16.27亿元,同比增长21.32%,归母净利润2.05亿元,同比增长36.45%。
在发展模式上兆易创新避开国际巨头及大市场领域,选择NOR Flash、利基DRAM等小众领域发展,逐步站稳并拓展市场。
NOR Flash产品方面
目前在NOR Flash领域全球市占率第三、中国第一,Arm通用32位MCU中国第一,触控芯片全球第四,指纹识别芯片全球第三、中国第二。
公司2023年NOR Flash出货量创新高,达到25.33亿颗,实现同比16.15%增长;SLCNAND Flash产品在消费电子、工业、汽车电子等领域已经实现了全品类的产品覆盖,2023年出货量大幅增长。
DRAM产品方面
兆易创新已经具备DDR3和DDR4两条产品线多个产品型号,2023年市场拓展效果明显,总成交客户数量稳步增加。
公司2024年3月29日公告,拟以15亿元参与长鑫科技新一轮融资,本次增资后,将持有长鑫科技约1.88%股权。
长鑫科技是目前国内唯一的国产一体化动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商,专业从事DRAM芯片的设计、研发、生产和销售,兆易创新参股长鑫科技后,将会在DRAM技术领域获得核心的竞争优势。
未来随着存储价格持续涨价带来的营业利润率改善,存储龙头厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击,行业存在较大的反弹空间。
兆易创新作为行业龙头,手握核心技术,在行业上行过程中将会持续受益。
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来源飞鲸投研
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