台积电GaN性能提升50%；斯达SiC项目结顶...

行家说“一周要闻”又来了！

碳化硅方面，今天给大家盘点一下斯达半导体、英飞凌、利普思、清纯半导体等企业的最新动态。

在氮化镓领域，台积电即将发布第二代氮化镓，性能提升50%；EPC等氮化镓也有新的产品和收购案发生。

                                                          碳化硅

斯达微碳化硅项目封顶

据嘉兴日报，连日来嘉兴全市上下吹响了复工复产的“集结号”，其中提到，嘉兴斯达微电子有限公司新建项目部分厂房已经封顶。

高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目是省重点项目之一，也是南湖高新区第一个复工复产的重大项目。该项目由嘉兴斯达微电子有限公司投资建设，“多亏了政府部门的及时跟进，为我们复工复产解决了难题，在极短的时间内恢复了施工，我要为嘉兴优质的营商环境点个赞！”嘉兴斯达微电子有限公司副总陆建华说道。

斯达半导体2021财报

净利润同比增长120.49%

近日，IGBT模块龙头企业斯达半导体公布2021年年报。年报显示，斯达半导体2021年实现营业收入约17亿元，同比增长77.22%；实现净利润3.98亿元，同比增长120.49%。

2021年，斯达半导体IGBT模块实现产销两旺，分别达到930万只和878万只，对应同比增长约7成；功率半导体器件毛利率同比增长5.12个百分点，达到36.55%。

清纯半导体

推出首款国产15V驱动SiC Mosfet

清纯半导体日前宣布发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空白，使得国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。

英飞凌扩展 CoolSiC M1H 产品组合

4 月 13 日，英飞凌科技推出了一种全新的 CoolSiC 技术CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。SiC 芯片将使用流行的 Easy 模块系列以及 XT 互连分立封装技术，将在广泛扩展的产品组合中实施。

据说M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值需求的太阳能系统，例如逆变器。该芯片还非常适用于快速电动汽车充电、储能系统和其他工业领域等应用。

顶立科技获得战略投资

近日，湖南顶立科技有限公司宣布获得战略融资，本轮融资由北京高创、湖南五矿高创、湖南高创、长沙东方鑫业、中安海通、嘉兴国仪和陈才参投。

据悉，顶立科技是一家专业从事先进新材料及高端热工装备研制、生产的“国家重点高新技术企业”，是上市公司楚江新材的全资子公司。公司主要产品有碳及碳化硅复合材料热工装备、高端真空热处理系列装备、粉末冶金系列热工装备、新材料、雾化制粉装备，广泛适用于碳及碳化硅复合材料、真空热处理、粉末冶金等多个领域。

利普思

推出紧凑型 SiC MOSFET 解决方案

4月11日，无锡利普思半导体发布了其E0系列产品。E0 系列是压合式 SiC MOSFET 功率模块，具有业界公认的低电感占位面积。

为了生产高度可靠的 E0 系列 SiC MOSFET 功率模块，利普思使用了高级 Si3N4 AMB 基板，该基板结合了最佳的机械稳健性和出色的散热性能，具有极高的功率密度。与竞争对手不同，E0 模块采用环氧树脂而不是硅树脂，可实现 3 倍甚至更高的功率和热循环特性。

此外，所有 E0 SiC 模块均提供同类最佳的低开关损耗。

三社电机

开始销售1200V耐压SiC MOSFET

4 月 12 日，三社电机宣布，从 2022 年 4 月开始销售电流容量为50A 的 SiC MOSFET。

通过在传统模块产品（150A、100A）的基础上增加50A分立产品，能够满足广泛的客户需求。

该产品搭载内置续流二极管功能的SiC MOSFET芯片，可减少不必要的电感，并采用发挥SiC MOSFET性能的4引脚结构，实现高速开关和低损耗。

                                                                  氮化镓

台积电第二代氮化镓性能提升50%

4月15日，台积电发布了2021年财报，其中提到了氮化镓研发情况。

据报告，台积电的硅基氮化镓Gen-1 技术平台于 2021 年进一步增强，以支持客户的各种市场应用。目前Gen-2 技术正在开发中，计划于 2022 年完成。

2021年，台积电通过了第一代650V增强型GaN高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的改进版本，并开始满负荷量产，并被用于130多个适配器。为此，台积电公司不断扩大产能以满足客户需求。

台积电第二代650V和100V功率E-HEMT，FOM（品质因数）提升50%，将于2022年投产。台积电100V耗尽型GaN高电子迁移率晶体管（D-HEMT）完成器件开发，2022年即将投产 。此外，台积电开始研发第三代650V电源E-HEMT，预计2025年交付。

“韩版萨德”搭载氮化镓材料

4月6日，远程地对空导弹系统（L-SAM）的多功能雷达（MFR）性能测试在韩华系统龙仁研究中心进行。

据了解，L-SAM 搭载了氮化镓材料，氮化镓 紧密嵌入 L-SAM MFR 天线原型单元 1 和 2 中。这些设备中的每一个都独立运行，发射电磁波以确定目标的位置、移动方向和速度。

L-SAM的目标是到2024年完成系统开发，这是一种比韩国军方任何其他防空武器系统都可以在更远距离跟踪和摧毁朝鲜导弹的武器系统。因其性能堪比美国高空导弹防御系统（THAAD），被称为“韩国版萨德”。

SEMILAB

收购GaN、SiC电阻率测量企业

4月6日，Semilab 发布消息称，2022 年 3 月 10 日起，Semilab 已经收购了位于德国弗莱堡的 SemiMap Scientific Intruments GmbH，该公司是 Corema 晶圆测量产品的制造商。

SemiMap 是射频应用中使用的半绝缘、高电阻率基板材料电阻率测量的全球领导者，Corema 产品和服务将继续通过 Semilab 提供。

核磁共振采用氮化镓电源

4 月 13 日，休斯顿大学的科学家计划开发一种基于 GaN 的微型脉冲电源系统，该系统将为移动手持式 MRI 机器提供动力。

美国能源部高级研究计划署能源部 (ARPA-E) 最近授予该团队 100 万美元的赠款，用于建造基于 GaN 的微型脉冲电源系统。

EPC

推出 4mΩ、40V 抗辐射 GaN 功率晶体管

4 月 14 日，EPC Space LLC 推出了 EPC7019G，这是一款 40V、4mΩ、530A脉冲抗辐射增强型氮化镓 (GaN) 功率晶体管。

EPC7019G 具有大于 1Mrad 的总剂量等级和 85MeV/(mg/cm² ) 的 LET（线性能量转移）的 SEE（单事件效应）抗扰度。这些器件将采用具有双栅极的全新紧凑型密封封装，占位面积小于 45mm²。