研究报告国盛证券-电子行业“AI革命”存储篇，算力拉动，拐点提前-230411

ChatGPT带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。据NVIDIA估算，训练GPT-3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8张V100显卡训练时长预计达36年，1024张80GBA100显卡完整训练GPT-3的时长为1个月，算力侧硬件需求全面增长。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相应增长。整体来看，ChatGPT将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，进而对算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC载板等多个领域硬件产生增量需求。

  国产化存储产业链迎来布局时刻。1）AI服务器带来存力硬件需求上行根据美光数据测算，人工智能服务器中DRAM内容是普通服务器的8倍，NAND内容将是普通服务器的3倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2）库存边际改善，价格修复在即美光2023年Q2会计期末库存约为81.29亿美金，同比下降2.75%，有望持续改善。AI服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据TrendForce数据，美光及SK海力士在内的部分供应商已启动DRAM减产计划，2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%。3）国产化存储产业链迎来布局时刻国内存储产业链多元化布局，2023年有望完成产品结构快速升级。

  存储行业公司市场广阔，行业近期有望触底回升。根据ICInsight数据，2011年全球DRAM市场规模为296亿美金，而2022年全球DRAM市场规模将达758亿美金，CAGR达8.9%，其中DDR4需求疲软之下价格一路下行。根据中金企统计数据，预计到2025年全球NANDFlash市场规模有望达到931.9亿美元，2021年至2025年CAGR增速7.4%，其中三星依旧占领较大的市场份额，但还未形成绝对的寡头地位。国内储存行业链公司有望持续发展，国产化替代空间广阔。

  DRAM & NANDFlash强周期属性，人工智能需求增长有望带动行业快速修复。DRAM是存储器第一大产品，占比全球储存市场53%的市场份额。当前以三星、海力士和美光三大家为主。看DRAM产品迭代，DDR4系当前主流，DDR5接力入场。NANDFlash供给端，呈现CR6市场规模占比约99%，寡头市场持续集中。价格方面，我们认为主流及利基型产品价格2022年以来下跌跌幅将逐步趋缓。需求端，车规级储存受汽车智能化发展速度加快，AI等高算力设备推动巨量数据存储或将有望成为新的快速增长点。

  人工智能算力及数据量增长，带动存储行业技术迅速发展。1）HBM截至2021年，SK海力士和Rambus已发布了数据传输速率为5.2Gbps和8.4Gbps的HBM3产品，每个堆叠将提供超过665GB/s和1075GB/s的传输速率，有望快速在AI服务器中替代。2）存算一体目前存算一体大致分为近存计算（PNM）、存内处理（PIM）、存内计算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（PNM），未来技术成熟度或将快速提高，突破算力存力中间壁垒。3）3DNAND堆叠3DNAND将成为主流方向，可突破存储容量限制瓶颈。3DNAND将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了2DNAND在增加容量的同时性能出现下降的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。

  风险提示下游需求不及预期，新品迭代不及预期