【西部半导体】光刻机压力消减，先进制程预期升温，核

【西部半导体】光刻机压力消减，先进制程预期升温，核心设备及部
件重要性凸显

根据ASML财报，升级版1980i浸没式光刻机可继续供货大陆，可通过多重曝光技术兼容14nm工艺，短期光刻机制约基本消除；产业焦点将逐渐转向成熟制程扩产以及先进制程突破，先进制程将显著提升晶圆厂资本开支，进一步打开设备市场空间，建议关注
1）长江存储我们测算232层NAND设备数量相比128层增长30%-40%，量价齐升，突破关键在于刻蚀、薄膜（ALD）、检量测以及离子注入工艺；核心标的中微公司、拓荆科技、北方华创、芯源微、精测电子。

2）长鑫存储我们测算17nmDRAM资本开始相比19nm增长15%-20%，突破关键在于特殊刻蚀、薄膜以及离子注入工艺；核心标的北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米、芯源微。

3）中芯国际逻辑14nm资本开支相比28nm工艺接近翻倍，栅极将由平面结构转向立体结构，对大部分设备性能都将提出新的要求；核心标的拓荆科技、芯源微，北方华创、中微公司。

4）H线成熟制程大幅提升国产化率并逐步往先进制程推进；关注芯源微、北方华创、拓荆科技、中微公司、盛美上海。

考虑先进制程对核心零部件的依赖度较大，海外已对部分先进制程设备核心部件实施限制，设备核心部件突破迫在眉睫；核心标的英杰电气、新莱应材、同飞股份。

重点关注
核心设备北方华创（14nm刻蚀/薄膜/炉管设备批量出货）、中微公司（14nm及以下刻蚀设备批量出货）、拓荆科技（14nm薄膜设备加大工艺覆盖率）、芯源微、微导纳米（核心ALD设备突破）
核心部件新莱应材（阀体）、英杰电气（射频电源）、同飞股份（温控）