注册返回主站

捷捷微电获得发明专利授权“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法”

作者：牛盲
2024-03-09 03:25:31
分享：

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法”，专利申请号为CN202311456948.3，授权日为2024年3月8日。

专利摘要本发明提出了一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法，其通过把门极和阳极设计在同一侧，阴极设计在另一侧，使得阴极和底板可以焊接在一起，提高了散热效果和产品的di/dt值，并且使用时多只可控硅可共用同一个散热片，增加了终端厂家的应用空间，所述芯片包括从上至下设置的磷区N、硼铝区P、磷区N，所述硼铝区P内部设置有单晶材料区N，其特征在于所述芯片的门极和阳极设置在上表面，阴极设置在下表面，在所述门极和阳极同一侧的硼铝区P上制有深度超过PN结深度的台面沟槽钝化层，所述门极设置在沟槽外侧，所述阳极设置在沟槽内侧。

今年以来捷捷微电新获得专利授权9个，较去年同期增加了800%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.22亿元，同比增48.2%。

数据来源企查查

以上内容由证券之星根据公开息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。

温馨提醒：用户在赢家聊吧发表的所有资料、言论等仅代表个人观点，与本网站立场无关，不对您构成任何投资建议。本文中出现任何联系方式与本站无关，谨防个人信息，财产资金安全。